特許
J-GLOBAL ID：200903022413353520

フリップチップ接続構造、半導体装置および半導体装置製造方法

発明者：
上村 智弘

上村 智弘 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208703
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035876
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ポリイミド樹脂をパッシベーション膜に用いるフリップチップ構造を有する半導体装置において、パッド電極上に形成する金属層を安定したカバレッジにて形成するフリップチップ接続構造、半導体装置および半導体装置製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 ポリイミド樹脂をパッシベーション膜に使用するフリップチップ接続構造を有する半導体装置において、ポリイミド樹脂は、最上層配線層より上層のプラズマ酸化膜とプラズマ窒化膜からなる絶縁膜を完全に覆い、かつパッド電極部の開孔部側面にテーパーを設けてある。
請求項（抜粋）：
半田ボールをCu膜上に形成するときに半田ボールとCu膜間のくびれ部分に残りやすかった空気の発生箇所をなくして空洞の発生を抑えることができるフリップチップ接続構造であって、ポリイミド樹脂をパッシベーション膜に用いるフリップチップ接続構造を有する半導体装置において、前記ポリイミド樹脂は、最上層配線層より上層にある絶縁膜を完全に覆うとともに、パッド電極部の開孔部側面にテーパーを有することを特徴とするフリップチップ接続構造。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/88 T
Fターム (28件)：
5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX02
引用特許：
審査官引用 (17件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008418   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開昭60-170246
  • 特開昭61-058258
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