特許
J-GLOBAL ID：201303094988673130
電磁波吸収制御装置および電磁波散乱制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
田澤 英昭
, 濱田 初音
, 久米 輝代
, 河村 秀央
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-102886
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232733
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】自機が他のレーダに探知される可能性を低減する電磁波吸収制御装置を得る。【解決手段】抵抗素子3a〜3cとFETスイッチ4a〜4cを装荷した導体パターン2a〜2dを十字型に配置して、かつそれを複数個アレー配置した電磁波吸収制御装置を構成することにより、同装置で覆われた自機へ到来する他のレーダからの任意の偏波を有するレーダ波を抵抗素子3a〜3cで吸収させて自機のレーダ断面積を低減し、自機が他のレーダに探知される可能性を低減する一方で、自機が送受信を行う場合にはほぼ全通過状態となり自機の送受信を阻害しないような電磁波吸収制御装置を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
十字型に配置された第一から第四の導体パターンと、
前記第一から前記第四の導体パターンの一部に形成された抵抗素子と、
十字型に配置される前記第一から前記第四の導体パターンの交差部に設けられ、該第一から第四の導体パターンを一つになるように接続、または四つに分離するスイッチ素子とを備えた電磁波吸収要素を、同一面内に複数個アレー配置したことを特徴とする電磁波吸収制御装置。
IPC (5件)：
H01Q 17/00
, H01P 1/22
, H05K 9/00
, G01S 7/03
, G01S 7/02
H01Q17/00
, H01P1/22
, H05K9/00 M
, G01S7/03 M
, G01S7/02 F
5E321AA41
, 5E321BB60
, 5E321GG12
, 5E321GH10
, 5J013AA06
, 5J020EA03
, 5J020EA08
, 5J020EA10
, 5J070AD03
, 5J070AD08
