特許
J-GLOBAL ID:201303096510639923
耐硫化チップ抵抗器およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木内 光春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-280566
公開番号(公開出願番号):特開2013-080952
出願日: 2012年12月25日
公開日(公表日): 2013年05月02日
要約:
【課題】本発明は、耐硫化性を有するチップ抵抗器に関する。【解決手段】本発明のチップ抵抗体は、絶縁基板11、銀ベースのサーメットを使用して基板の上面に形成された上部端子電極12、底部電極13、上部端子電極12間に位置され、それらに部分的に重なる抵抗素子14、抵抗素子14を完全にまたは部分的に覆うオプションの内側保護コーティング15、内側保護コーティング15を完全に覆い、上部端子電極12を部分的に覆う外側保護コーティング16、基板の端面と上部電極12と底部電極13を覆い外側保護コーティング16に部分的に重なるニッケルのメッキ層17と、ニッケル層17を覆う仕上げメッキ層18とを備える。ニッケル層17と外側保護層16との重なり合いは、ニッケルメッキプロセスの前に外側保護層16の縁部をメッキ可能にするので封止特性を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁基板の上に取り付けられた抵抗素子の両側にある硫化を受け易い上部端子電極と、抵抗素子の上の外側非導電性保護コーティングと、
絶縁基板の対向端面と硫化を受け易い上部端子電極の一部とを覆う少なくとも1つの導電性金属メッキ層を備え、
金属メッキ層は、事前形成された金属層によって、硫化を受け易い端子電極と外側非導電保護コーティングの隣接縁部とに接着されることを特徴とするチップ抵抗体。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (11件):
5E032BA04
, 5E032BB01
, 5E032CA02
, 5E032CC14
, 5E032CC16
, 5E032DA03
, 5E033BB02
, 5E033BC01
, 5E033BD01
, 5E033BE02
, 5E033BH01
引用特許: