特許
J-GLOBAL ID:201303096644471492

低熱膨張セラミックスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-234669
公開番号(公開出願番号):特開2003-048771
特許番号:特許第4907791号
出願日: 2001年08月02日
公開日(公表日): 2003年02月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ユークリプタイト50〜95体積%と、α-SiC、β-SiC及びSi3N4から選ばれる1種以上の化合物5〜50体積%とを含有する低熱膨張セラミックスであって、前記セラミックス中に含まれるFe2O3の含有量が0.05重量%以下であり、 前記セラミックスの比透磁率が1.000以下、相対密度が98%以上、室温でのヤング率が120GPa以上、かつ、10〜40°Cにおける熱膨張係数が-1〜1×10-6/°Cであることを特徴とする低熱膨張セラミックス。
IPC (1件):
C04B 35/19 ( 200 6.01)
FI (1件):
C04B 35/18 A
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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