レジストパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-211471
公開番号（公開出願番号）：特開2013-072975
出願日： 2011年09月27日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：

【課題】溶出が抑制された高解像性のネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、液浸媒体を介して浸漬露光する工程(2)と、工程(2)の後にベークを行い、露光部において露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、未露光部において、レジスト膜に予め供給された酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法であって、レジスト膜の水に対する後退角が65°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、前記レジスト膜を、液浸媒体を介して浸漬露光する工程(2)と、前記工程(2)の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト膜の水に対する後退角が65°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/004 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 20/58

FI (6件)：

G03F7/004 503B , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C08F20/58

Fターム (40件)：

2H125AF29P , 2H125AF45P , 2H125AG00P , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH23 , 2H125AJ14X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AM22P , 2H125AM46P , 2H125AM91P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN50P , 2H125AN62P , 2H125AN75P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CC01 , 2H125CC17 , 2H125CD07P , 2H125CD31 , 2H125FA03 , 4J100AA20P , 4J100AL08P , 4J100BA03P , 4J100BA11P , 4J100BA15P , 4J100BB12P , 4J100BB18P , 4J100BC58P , 4J100CA01 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054287 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法及びレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-230271 出願人：信越化学工業株式会社
レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-190031 出願人：東京応化工業株式会社

前のページに戻る