特許

J-GLOBAL ID：201303098232980212

化学機械研磨中にキラー粒子を検出するための装置および方法

発明者： ニコーナハド・メアダッド ,  セスーラマン・アナンザ・アール. ,  チャオ・グオヘング
出願人/特許権者： ケーエルエー-テンカー コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-578938
特許番号：特許第5066318号
出願日： 2001年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 サンプルに関する異常を検出するためのシステムであって、 サンプルが化学機械研磨を受けている際に前記サンプルに近接するよう構成された対物レンズと、 前記サンプルが化学機械研磨を受けている際に、入射ビームを生成し、前記対物レンズを通して前記サンプルの方向に前記入射ビームを向けるよう構成されたビーム源と、 前記サンプルが化学機械研磨を受けている際に、前記サンプルに関する少なくとも1つの異常から反射され、前記少なくとも1つの異常の特徴を示し、前記入射ビームに対応する散乱光を検出するよう構成されたセンサと、を備え、 前記対物レンズは、 パッドに設けられた穴部の内側に配置され、前記入射ビームを前記サンプルの方向に向けるよう構成された光学素子と、 前記入射ビームに対して光学的に透明な液体を流すための流体流動機構と、を備え、 前記液体は、前記穴部の内側において、前記光学素子と前記サンプルに接触して前記サンプルの一部分の上に流され、 前記入射ビームは、前記液体によってさらに前記サンプルの前記一部分に向けられる、システム。

IPC (7件)：

B24B 49/12 ( 200 6.01) ,  B24B 37/20 ( 201 2.01) ,  B24B 37/00 ( 201 2.01) ,  G01N 15/02 ( 200 6.01) ,  G01N 21/956 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (7件)：

B24B 49/12 ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/00 Z ,  G01N 15/02 A ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/304 622 Z ,  H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154221   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法およびそのシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-034489   出願人：株式会社日立製作所
• 化学処理表面状態検査装置および化学処理液劣化状態検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081962   出願人：日本電気株式会社
• 機械化学研磨装置用の平坦化過程モニター装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-014042   出願人：オリンパス光学工業株式会社