特許

J-GLOBAL ID：201303098955535233

半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光装置

発明者： 友田 勝寛 ,  土居 正人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246335
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060233
特許番号：特許第4997672号
出願日： 2001年08月14日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 樹脂パッケージ内に形成され所定の光を放出させる第1の半導体発光層と、 前記第1の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され、前記第1の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第2の半導体発光層を有し、 前記第2の半導体発光層は前記樹脂パッケージに貼り合わされて構成され、 前記第1の半導体発光層からの発光波長と前記第2の半導体発光層からの発光波長が異なる、ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/08 ( 201 0.01) ,  H01L 33/52 ( 201 0.01) ,  H01L 33/24 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)

FI (4件)：

H01L 33/00 120 ,  H01L 33/00 420 ,  H01L 33/00 174 ,  H01L 33/00 186

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-066736   出願人：株式会社東芝