特許
J-GLOBAL ID：201303099308958323
固体撮像素子およびその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
, 久保 貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-010518
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179275
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】増倍部を備える固体撮像素子において、画素の小型化と増倍ゲート電極に印加する電圧の低電圧化とを実現する【解決手段】この固体撮像素子は、画素として、半導体基板の一面側の表層に形成された光電変換部と、該光電変換部で生じた電荷を蓄積するための電荷保持部と、該電荷保持部の形成された部分に、容量結合するように形成された増倍ゲート電極と、を有する。 そして、半導体基板の一面側の表層において、電荷保持部と一面との間であって、増倍ゲート電極と容量結合する位置に、半導体基板よりも不純物濃度の高い電荷障壁部を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
画素(10)として、
第1導電型とされた半導体基板(20)の一面(20a)側の表層に形成され、前記一面側から入射した光を電荷に変換する第2導電型の光電変換部(21)と、
該光電変換部で生じた電荷を蓄積するために、前記半導体基板に形成され、第2導電型とされた電荷保持部(22)と、
該電荷保持部の形成された部分との間で容量結合するように、前記半導体基板に絶縁膜(34)を介して形成された増倍ゲート電極(31)と、を有する固体撮像素子であって、
前記電荷保持部と前記絶縁膜との間であって、前記増倍ゲート電極と容量結合する位置に、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第1導電型とされた電荷障壁部(26)を有することを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 745
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118FA38
, 5C024CY42
, 5C024GX03
, 5C024GY39
, 5C024JX41
出願人引用 (2件)
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撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2008-164178
出願人：三洋電機株式会社
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撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-321702
出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (2件)
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撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2008-164178
出願人：三洋電機株式会社
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撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-321702
出願人：三洋電機株式会社
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