特許
J-GLOBAL ID：201303099554023287
半導体パッケージの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-238564
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118364
特許番号：特許第5304940号
出願日： 2012年10月30日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも
板状の第1補強部材と、
この板状の第1補強部材上に設けられた第1導体パターンと、
この第1導体パターン上に設けられた熱硬化性の絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた第2導体パターンと、
前記第2導体パターン上に配置された板状の第2補強部材とを有する積層体を用意する工程と、
前記積層体を加熱して、前記絶縁層を熱硬化する工程と、
熱硬化した前記積層体の前記第1補強部材の一部を選択的に除去して、前記第1導体パターンを露出させるための開口部を形成する工程と、
前記第2補強部材の一部を選択的に除去して前記第2導体パターンを露出させるための開口部を形成する工程と、
前記第1補強部材の前記開口部を介して露出する前記第1導体パターン、あるいは、前記第2補強部材の前記開口部から露出する第2導体パターンに、半導体素子を接続する工程とを含み、
前記第1補強部材の50〜150°Cの面内方向の平均線膨張係数および前記第2補強部材の50〜150°Cの面内方向の平均線膨張係数が、0.5〜10ppm/°Cである半導体パッケージの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 23/12 F
, H01L 23/12 N
, H01L 21/60 311 Q
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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