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J-GLOBAL ID：201402200877278485   整理番号：14A0709178

2個の種結晶から結晶成長させたYBCOバルク磁石の選択的な磁束侵入

著者 (8件)： 岡徹雄 (新潟大) ,  堀内琢磨 (新潟大) ,  菊田淳 (新潟大) ,  小川純 (新潟大) ,  福井聡 (新潟大) ,  佐藤孝雄 (新潟大) ,  横山和哉 (足利工大) ,  LANGER Marco (IFWドレスデン)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 89th  ページ： 17  発行年： 2014年05月26日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高温超伝導バルク体を強磁場発生源として広く応用するために,簡便でコンパクトなパルス磁場法による磁場捕捉性能の向上をねらった研究を実施した。パルス着磁法における磁場捕捉は磁束の運動による発熱により制限を受けるが,30K程度の低温で高いJcをもつ領域では磁束侵入そのものが強く抑制される。このため,磁束の侵入を容易にし,しかも侵入した磁束を逃がさない工夫が必要である。実験によれば,種結晶の配置によって異方的に成長させた粗大なバルク磁石においては,選択的な磁場侵入が観測され,巨視的な結晶の状態によって磁束侵入の挙動が異なる。さらには,均質に作成したバルク磁石よりも,異方的な結晶成長した方が低い磁場での着磁が可能であった。この結果は磁束の運動が微視的な材料組織におけるJcの分布とこれを誘発する常伝導粒子の分布に帰すると仮説を立てこの検証を行った。発熱による超電導性能の低下が避けられないパルス着磁において,低磁場での着磁は発熱の低減を意味しており,より高磁場の捕捉性能を得ることに繋がる。(著者抄録)

シソーラス用語： *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  高温超伝導体 ,  *超伝導磁石 ,  侵入度 ,  種結晶 ,  磁場 ,  磁化 ,  磁束 ,  臨界電流 ,  *磁場侵入
準シソーラス用語： *磁束侵入 ,  *着磁 ,  *捕捉磁場

分類 (1件)： 超伝導磁石  (BM04042N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 種結晶 ,  結晶成長 ,  YBCO ,  バルク ,  磁石 ,  磁束侵入