文献

J-GLOBAL ID：201402201129012274   整理番号：14A0141442

フリップフロップ重イオンシングルイベントアップセット断面積の技術スケーリング比較

Technology Scaling Comparison of Flip-Flop Heavy-Ion Single-Event Upset Cross Sections

著者 (14件)： GASPARD N.J. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  JAGANNATHAN S. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  DIGGINS Z.J. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  KING M.P. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WEN S-J. (Cisco Systems, Inc., CA, USA) ,  WONG R. (Cisco Systems, Inc., CA, USA) ,  LOVELES T.D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  LILJA K. (Robust Chip, Inc., CA, USA) ,  BOUNASSER M. (Robust Chip, Inc., CA, USA) ,  REECE T. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WITULSKI A.F. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  HOLMAN W.T. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  BHUVA B.L. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  MASSENGILL L.W. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 6,Pt.1  ページ： 4368-4373  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 冗長性フリップフロップ(FF)設計と非耐放射線性設計FF(D-FF)のシングルイベントアップセット(SEU)断面積を実験結果を通して定量した。D-FF設計は最小パターンの大きさと粒子の線エネルギー付与(LET)に強く依存した。冗長性FF設計のSEU断面積は,電荷共有機構故に有感ノード距離に非常に強く依存した。冗長性ノード間隔を一定に保つと,冗長性FF断面積はスケーリングと粒子LET>20MeV・cm²/mgへ弱く依存した。高LET値で技術がスケールすると,冗長性FF対D-FFのSEU断面積比が低下した。

シソーラス用語： *SEU【シングルイベント】 ,  *断面積 ,  *双安定回路 ,  冗長性 ,  冗長方式 ,  回路パターン形成 ,  電荷 ,  設計 ,  *耐放射線性 ,  ソフトエラー ,  線エネルギー付与
準シソーラス用語： シングルイベントアップセット ,  耐放射線性設計 ,  電荷共有

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： フリップフロップ ,  重イオン ,  シングルイベントアップセット ,  断面積 ,  スケーリング