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J-GLOBAL ID：201402201412705421   整理番号：14A0511816

CMOSのためのInGaAs MOSFET:プロセス技術の最近の進歩

InGaAs MOSFETs for CMOS: Recent Advances in Process Technology

著者 (9件)： DEL ALAMO J.A. (MIT, MA, USA) ,  ANTONIADIS D. (MIT, MA, USA) ,  GUO A. (MIT, MA, USA) ,  KIM D.-H. (Global Foundries, NY, USA) ,  KIM T.-W. (Sematech, NY, USA) ,  LIN J. (MIT, MA, USA) ,  LU W. (MIT, MA, USA) ,  VARDI A. (MIT, MA, USA) ,  ZHAO X. (MIT, MA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 24-27  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40年のスケーリングと感動を与える革新の記録が過ぎた後に,CMOSは現在,チャネルからSiを取り除くという最も破壊的段階にさしかかっている。この現象が起こるとすれば,その時に,InGaAsは,n-MOSFETにおけるSiに取って替わる最も有望な新しいチャネル材料である。ここでは,InGaAs MOSFETの重要なプロセス技術のいくつかの最近の進歩を概説する。また,この新しいデバイスファミリが現実になる前に克服しなければならない課題のいくつかの概要を述べる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  CMOS構造 ,  *半導体プロセス ,  キャリア移動度 ,  ドライエッチング ,  透過型電子顕微鏡 ,  チャネル
準シソーラス用語： InGaAs

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  InGaAs ,  MOSFET ,  プロセス