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J-GLOBAL ID：201402202028763801   整理番号：14A0293680

RF受動素子集積用の最新Si系基板:局所多孔性Si層技術とトラップの多い高抵抗Siの比較

Advanced Si-based substrates for RF passive integration: Comparison between local porous Si layer technology and trap-rich high resistivity Si

著者 (6件)： SARAFIS P. (Terma Patriarchou Grigoriou, Athens, GRC) ,  HOURDAKIS E. (Terma Patriarchou Grigoriou, Athens, GRC) ,  NASSIOPOULOU A.G. (Terma Patriarchou Grigoriou, Athens, GRC) ,  NEVE C. Roda (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  ALI K. Ben (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL) ,  RASKIN J.-P. (Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 87  ページ： 27-33  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *RF系 ,  回路部品 ,  *多孔質シリコン ,  *コプレーナ導波路 ,  伝送線路 ,  誘電率 ,  電気抵抗 ,  漏話 ,  減衰
準シソーラス用語： CPW【導波路】 ,  受動素子

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF ,  受動素子 ,  集積 ,  Si ,  多孔性 ,  Si層 ,  トラップ