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J-GLOBAL ID:201402202076633367   整理番号:14A0910919

原子層堆積による酸化ガリウム緩衝層は亜酸化銅太陽電池に1.2V開回路起電力を可能にする

Atomic Layer Deposited Gallium Oxide Buffer Layer Enables 1.2V Open-Circuit Voltage in Cuprous Oxide Solar Cells
著者 (9件):
資料名:
巻: 26  号: 27  ページ: 4704-4710  発行年: 2014年07月16日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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酸化ケイ素/ケイ素基板上にチタン/金/チタン層を蒸着,酸化ケイ素CVD膜により被覆した。酸化ケイ素/Ti層のエッチングにより素子アレイ領域の金電極を露出し,電着によりCu2O,Ga2O3緩衝層,ジエチル亜鉛およびトリメチルアルミニウムを前駆体とする酸化亜鉛/酸化アルミニウム透明導電層の原子層堆積により3×5mm2面積のヘテロ接合太陽電池素子の6×6アレイを作製した。X線回折,原子間力顕微鏡,電界放出型走査電子顕微鏡,X線光電子スペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。電流電圧特性を測定した。酸化ガリウム緩衝層は導電バンドのオフセット改善に有効であり,原子層堆積により酸化ガリウム/酸化銅界面のCu2+に起因する欠陥が減少し,変換効率3.97%,開回路起電力1.2Vを達成した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  固-固界面  ,  太陽電池 

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