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J-GLOBAL ID：201402202124927190   整理番号：14A0056090

パターンサファイア基板を変えることによるInGaAs活性層の圧電場低減

Reducing a Piezoelectric Field in InGaN Active Layers by Varying Pattern Sapphire Substrates

著者 (5件)： LIN Chia-Feng (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  CHEN Kuei-Ting (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  TSENG Wang-Po (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  SHIEH Bing-Cheng (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  HSIEH Chang-Hua (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 12  ページ： 4180-4184  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に作ったInGaN LEDの内部量子効率(IQE)と圧電場(PZ)を解析した。パターン形成したサファイア基板はGaNの欠陥密度を抑えGaN LEDの光抽出効率を高める。頭頂切断ピラミッド(TP)とピラミッド(P)のパターン形成したサファイア基板上にInGaN LEDを作り,内部量子効率(IQE)と圧電場(PZ)を解析した。TP-LEDのフラットバンド電圧(-12V)に比較してP-LEDでは低い(-8V)のフラットバンドとなり,P-LED構造で低いPZが観察される。P-LEDのIQEは86%であり,TP-LEDの76%よりも高い。高IQE,低PZ,高い光抽出効率はピラミッドパターンサファイア基板上に作ったInGaN LEDで達成される。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  サファイア ,  基板 ,  *発光ダイオード ,  量子効率 ,  効率 ,  角錐 ,  *パターン形成
準シソーラス用語： InGaN ,  LED ,  *サファイア基板 ,  ピラミッド ,  *光抽出効率 ,  内部量子効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  InGaAs ,  活性層 ,  圧 ,  電場低減