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J-GLOBAL ID：201402202392988134   整理番号：14A0293689

酸化に対する初期的保護のためin situ CVD SiN_x膜を持つInAs/AlSb HEMTsのDC,RFおよび雑音性能

DC, RF and noise performance of InAs/AlSb HEMTs with in situ CVD SiN_X-film for early-protection against oxidation

著者 (9件)： MOSCHETTI Giuseppe (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  LEFEBVRE Eric (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  LEFEBVRE Eric (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  FAGERLIND Martin (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  FAGERLIND Martin (NXP Semiconductors, Nijmegen, NLD) ,  NILSSON Per-Ake (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  DESPLANQUE Ludovic (Univ. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  WALLART Xavier (Univ. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  GRAHN Jan (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 87  ページ： 85-89  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  窒化ケイ素 ,  ヒ化インジウム ,  *HEMT ,  雑音特性 ,  保護 ,  *酸化防止 ,  メサ構造 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *CVD【化学蒸着】 ,  InAs ,  雑音性能 ,  酸化保護

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化 ,  初期 ,  CVD ,  InAs ,  DC ,  RF ,  雑音性能