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J-GLOBAL ID：201402203534961448   整理番号：14A0881528

CVDダイヤモンド-研究,応用,課題

CVD diamond-Research, applications, and challenges

著者 (5件)： NEMANICH Robert J. (Arizona State Univ., USA) ,  CARLISLE John A. (Advanced Diamond Technol., Inc., USA) ,  HIRATA Atsushi (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  HAENEN Ken (Hasselt Univ.) ,  HAENEN Ken (IMEC vzw, Diepenbeek, BEL)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 39  号： 6  ページ： 490-494  発行年： 2014年06月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVDダイヤモンド膜は高純度で作製される。これらの膜は高電場で高い絶縁耐性を有し,ワイドバンドギャップ半導体の中で最高の電子及び正孔移動度を示す。本論文では,CVDダイヤモンドの研究,応用,課題について,以下の内容で論じた。1)CVDダイヤモンドの蒸着,2)CVD膜中のダイヤモンドの発見,3)特異な性質と応用,4)ホモエピタクシーとドーピング,4)単結晶ダイヤモンド基板,5)ナノ結晶ダイヤモンド材料,6)表面官能化と生物学的応用,7)電子放出,8)表面伝導率,9)課題と機会。

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  化合物半導体 ,  キャリア移動度 ,  *エピタクシー ,  ドーピング ,  単結晶 ,  *ナノ結晶 ,  官能化 ,  電気伝導 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： *CVDダイヤモンド ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  表面官能化 ,  表面伝導

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： CVDダイヤモンド ,  研究 ,  応用