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J-GLOBAL ID：201402203978653766   整理番号：14A0125963

微小重力における進行液体ゾーン(TLZ)法によるSi_0.50Ge_0.50結晶の成長

Growth of a Si_0.50Ge_0.50 crystal by the traveling liquidus-zone (TLZ) method in microgravity

著者 (21件)： KINOSHITA K. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  ARAI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  INATOMI Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  TSUKADA T. (Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  ADACHI S. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  MIYATA H. (Advanced Engineering Services Co., Ltd., 1-6-1 Takezono, Tsukuba, JPN) ,  TANAKA R. (Advanced Engineering Services Co., Ltd., 1-6-1 Takezono, Tsukuba, JPN) ,  YOSHIKAWA J. (Japan Manned Space Systems Corp., 1-1-26 Kawaguchi, Tsuchiura, JPN) ,  KIHARA T. (Space Engineering Dev. Co., Ltd., 5-62-1 Nakano, Nakano-ku, Tokyo, JPN) ,  TOMIOKA H. (Advanced Engineering Services Co., Ltd., 1-6-1 Takezono, Tsukuba, JPN) ,  SHIBAYAMA H. (Space Engineering Dev. Co., Ltd., 5-62-1 Nakano, Nakano-ku, Tokyo, JPN) ,  KUBOTA Y. (Space Engineering Dev. Co., Ltd., 5-62-1 Nakano, Nakano-ku, Tokyo, JPN) ,  WARASHINA Y. (I-NET Corp., 5-37-1 Kamata, Ota-ku, Tokyo, JPN) ,  SASAKI Y. (I-NET Corp., 5-37-1 Kamata, Ota-ku, Tokyo, JPN) ,  ISHIZUKA Y. (I-NET Corp., 5-37-1 Kamata, Ota-ku, Tokyo, JPN) ,  HARADA Y. (I-NET Corp., 5-37-1 Kamata, Ota-ku, Tokyo, JPN) ,  WADA S. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  HARADA C. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  ITO T. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  TAKAYANAGI M. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN) ,  YODA S. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 388  ページ： 12-16  発行年： 2014年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 合金半導体Si_xGe_1-x(x~0.5)結晶を,微小重力におけるTLZ法により成長させた。Ge濃度は,直径10mm及び長さ17.2mmの結晶全体に関して,48.5±1.5%であった。組成一様性を実現したが,平均濃度は,予想した50at%から少しずれた。組成一様性の更なる改善及びSi_0.50Ge_0.50結晶の実現に関して,成長条件を,測定軸方向組成プロフィルに基づいて精緻化した。新しい成長条件の決定において,メルトにおける温度勾配の差,凍結界面曲率の差,及び微小重力と地上成長間のシードのメルトバック長の差を考慮した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  結晶成長 ,  *微小重力 ,  濃度 ,  *温度勾配 ,  成長速度 ,  *均一性
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム合金 ,  成長条件

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微小 ,  重力 ,  ゾーン ,  法 ,  結晶 ,  成長