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J-GLOBAL ID：201402204289815100   整理番号：14A1476435

真空ナノエレクトロニクスのためのゲート付きナノ電子源の作製

Fabrication of gated nano electron source for vacuum nanoelectronics

著者 (2件)： NAGAO Masayoshi ,  YOSHIDA Tomoya
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 132  ページ： 14-20  発行年： 2015年01月25日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート付きナノ電子源を用いる次の電界放出ディスプレイとして画像センサ,固定X線源,カラムレスSEMといった多くの種類の興味をそそる新しい応用を調査した。ゲート付きナノ電子源の作製を従来法から最新のものまで,特にゲート形成プロセスに関して概説した。最近,エッチバック法を用いた積層ゲート電極構造が開発され,それは集束電子ビームの生成に対して非常に興味をそそる方法である。また,従来のスピント型エミッタ作製法は大面積基板に容易に適用できるものに改良されている。リフトオフ層として二重層フォトレジストの利用や,電子ビーム蒸発器の代わりにHiPIMSスパッタリングを用いることが提案された。薄膜型FEAの作製も大規模基板上でエミッターアレイを構築するために適用できるイオン照射によって,垂直に立った薄膜を作るように改良された。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電子技術 ,  真空 ,  電子源 ,  *ナノテクノロジー ,  *フラットパネルディスプレイ ,  電子ビーム ,  エミッタ【半導体】 ,  微細加工 ,  イオン照射 ,  *イメージセンサ ,  ゲート【半導体】 ,  半導体プロセス ,  電極 ,  スパッタリング
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  ナノエレクトロニクス ,  *ナノメータテクノロジー ,  ナノ電子源 ,  リフトオフ ,  集束電子ビーム ,  真空ナノエレクトロニクス ,  *電界放出ディスプレイ

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  表示機器  (NC06030Q) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空 ,  ナノエレクトロニクス ,  ゲート ,  電子源 ,  作製