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J-GLOBAL ID：201402204369182516   整理番号：14A0879809

半導体-絶縁体境界の電荷キャリア輸送に対する界面トラップサイトの非接触,非破壊,定量的プロービング

Non-contact, non-destructive, quantitative probing of interfacial trap sites for charge carrier transport at semiconductor-insulator boundary

著者 (6件)： CHOI Wookjin (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita 565-0871, JPN) ,  MIYAKAI Tomoyo (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita 565-0871, JPN) ,  SAKURAI Tsuneaki (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita 565-0871, JPN) ,  SAEKI Akinori (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita 565-0871, JPN) ,  YOKOYAMA Masaaki (Kaneka Fundamental Technol. Res. Alliance Laboratories, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita 565-0871, JPN) ,  SEKI Shu (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita 565-0871, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 105  号： 3  ページ： 033302-033302-4  発行年： 2014年07月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *捕獲中心 ,  誘電損失 ,  FET【トランジスタ】 ,  境界 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *キャリア移動度 ,  電気伝導率 ,  マイクロ波 ,  キャリア ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *有機FET ,  半導体-絶縁体境界 ,  PMMA ,  正孔移動度 ,  電荷キャリア

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体-絶縁体境界 ,  電荷 ,  キャリア輸送 ,  界面トラップ ,  非接触 ,  定量