文献

J-GLOBAL ID：201402204480133206   整理番号：13A1951385

GaInN/GaN量子井戸における室温の励起子再結合

Room temperature excitonic recombination in GaInN/GaN quantum wells

著者 (8件)： LANGER Torsten (Inst. of Applied Physics, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstrasse 2, 38106 Braunschweig, DEU) ,  CHERNIKOV Alexey (Fac. of Physics and Materials Sci. Center, Philipps-Universitaet Marburg, Renthof 5, 35032 Marburg, DEU) ,  KALINCEV Dimitri (Fac. of Physics and Materials Sci. Center, Philipps-Universitaet Marburg, Renthof 5, 35032 Marburg, DEU) ,  GERHARD Marina (Fac. of Physics and Materials Sci. Center, Philipps-Universitaet Marburg, Renthof 5, 35032 Marburg, DEU) ,  BREMERS Heiko (Inst. of Applied Physics, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstrasse 2, 38106 Braunschweig, DEU) ,  ROSSOW Uwe (Inst. of Applied Physics, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstrasse 2, 38106 Braunschweig, DEU) ,  KOCH Martin (Fac. of Physics and Materials Sci. Center, Philipps-Universitaet Marburg, Renthof 5, 35032 Marburg, DEU) ,  HANGLEITER Andreas (Inst. of Applied Physics, Technische Universitaet Braunschweig, Mendelssohnstrasse 2, 38106 Braunschweig, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 20  ページ： 202106-202106-5  発行年： 2013年11月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  室温 ,  *励起子 ,  再結合 ,  キャリア密度 ,  *光ルミネセンス ,  時間分解分光法 ,  キャリア ,  キャリア寿命 ,  温度依存性 ,  Auger効果 ,  MOCVD
準シソーラス用語： MOVPE ,  自由キャリア ,  自由キャリアモデル ,  窒化ガリウムインジウム ,  非放射再結合 ,  励起密度

分類 (3件)： 励起子  (BM02120E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  量子井戸 ,  室温