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J-GLOBAL ID：201402204661151303   整理番号：14A0689015

シリコンウエハーの高速化学乾式薄層化の間,ガス濃度の変化を通した曲げ応力の強化と表面粗さの低減

Enhancement of flexural stress and reduction of surface roughness through changes in gas concentrations during high-speed chemical dry thinning of silicon wafers

著者 (3件)： KIM I.j. (Dep. of Advanced Materials Sci. & Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi-do 440-746, KOR) ,  LEE N.-e. (Dep. of Advanced Materials Sci. & Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi-do 440-746, KOR) ,  LEE N.-e. (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi-do 440-746, KOR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 547  ページ： 173-177  発行年： 2013年11月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極薄Siウエハのシリコンを使った3次元実装は非常に低い残留応力を必要とする。この研究において,高速化学乾式エッチング(CDE)プロセスによって薄くした,Siウエハの平方二乗平均(RMS)表面粗さと曲げ応力への添加ガスの作用を研究した。NF₃遠いプラズマからのFラジカルの供給の間,ArとNOガスの反応器への直接噴射はSiウエハ薄層化率を上昇させ,そして,表面粗さをかなり減らすのに効果的だった。薄くしたSiウエハの減少したRMS表面粗さは,高い曲げ応力となった。N₂ガスのさらなる注入は,さらに薄くしたSiウエハの表面粗さを減少させて,その結果 薄くしたウエハーの曲げ応力を増やした。Ar流とQ比率 Q(N₂)= N₂/(N₂+NO)を調節することによって23μm/分程度に高いSiウエハ薄層化率とそして,10nm程度に少ないRMS表面粗さを得た。さらにまた,表面粗さが薄くしたSiウエハの曲げ応力に影響を及ぼす重要な要因であることが判明した。これらの結果は,Fラジカルと直接NO/Ar/N₂ガス注入を使う高速CDEプロセスが,制御したRMS表面粗さと低い残留応力の極薄Siウエハ薄層化に適用されることができること示した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  濃度 ,  曲げ応力 ,  *表面粗さ ,  乾式法 ,  *残留応力 ,  一酸化窒素 ,  アルゴン ,  窒素

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコンウエハー ,  化学 ,  層化 ,  ガス濃度 ,  曲げ応力 ,  強化 ,  表面粗さ