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J-GLOBAL ID：201402204707437703   整理番号：14A0141453

AlGaN/GaN HEMT中の単一イオン衝突による電荷収集の増大

Enhanced Charge Collection by Single Ion Strike in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (7件)： ONODA S. (Japan Atomic Energy Agency(JAEA), Gunma, JPN) ,  HASUIKE A. (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NABESHIMA Y. (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SASAKI H. (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YAJIMA K. (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SATO S.-i. (Japan Atomic Energy Agency(JAEA), Gunma, JPN) ,  OHSHIMA T. (Japan Atomic Energy Agency(JAEA), Gunma, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 6,Pt.1  ページ： 4446-4450  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高周波,高出力半導体電力増幅器として極めて有望である。本研究では,18MeVのNiイオンビーム(直径約1μm)をAlGaN/GaN HEMTに照射し,誘起した過渡電流を測定して電荷収集の増加を評価した。ゲート電極の幅は0.7μm,長さは50μmであった。単一イオンにより誘起した信号を4チャンネル単ショットディジタルストレージオシロスコープで記録した。電荷収集増大に及ぼすはじき出し損傷の影響の直接証拠を実験で初めて示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *HEMT ,  *重イオン照射 ,  収集 ,  *はじき出し損傷 ,  オシロスコープ ,  ソフトエラー ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： シングルイベント効果 ,  ディジタルストレージオシロスコープ ,  過渡電流 ,  *電荷収集 ,  *窒化アルミニウムガリウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  イオン衝突 ,  電荷収集