文献

J-GLOBAL ID：201402207916669599   整理番号：14A1289347

集束イオンビーム,分子ビームエピタクシー,4チップ走査型トンネル顕微鏡を備えたマルチチャンバシステムにおけるBi₂Se₃超薄膜のin situマイクロ合成と測定

In Situ Microfabrication and Measurements of Bi₂Se₃ Ultrathin Films in a Multichamber System with a Focused Ion Beam, Molecular Beam Epitaxy, and Four-Tip Scanning Tunneling Microscope

著者 (8件)： FUKUI Naoya (Dep. of Physics, Univ. of Tokyo) ,  HOBARA Rei (Dep. of Physics, Univ. of Tokyo) ,  HIRAHARA Toru (Dep. of Physics, Univ. of Tokyo) ,  HASEGAWA Shuji (Dep. of Physics, Univ. of Tokyo) ,  MIYATAKE Yutaka (UNISOKU Co., Ltd.) ,  MIZUNO Hiroyuki (UNISOKU Co., Ltd.) ,  SASAKI Toru (UNISOKU Co., Ltd.) ,  NAGAMURA Toshihiko (UNISOKU Co., Ltd.)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 12  ページ： 423-430 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集束イオンビーム(FIB)を利用し,Si(111)基板上で成長させたBi₂Se₃超薄膜をエッチングしサブミクロン幅ワイヤとし,4チップ走査型トンネル顕微鏡による4プローブ法を利用し,電気抵抗を測定した。空気へサンプルを曝露しない高真空下で,全手順をin situで実行した。測定での抵抗のワイヤ長への依存性から,膜の一次元伝導を確め,垂直に加え横方向にも効果的な損失無し電流路制御がFIBエッチングにより得られることを示した。また,FIBプロセスにおける意図しないガリウムイオンビーム照射からのサンプル表面保護は,Bi₂Se₃膜の固有電気特性維持で重要であると分った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,  MBE成長 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡 ,  *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *超薄膜 ,  エッチング ,  計測 ,  高真空 ,  依存性 ,  電気抵抗 ,  電気伝導 ,  電気特性
準シソーラス用語： 分子ビームエピタクシー ,  プローブ顕微鏡 ,  *セレン化ビスマス ,  ワイヤ ,  電気抵抗測定 ,  長さ依存性 ,  一次元伝導

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集束イオンビーム ,  分子ビームエピタクシー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  超薄膜