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J-GLOBAL ID：201402208592395152   整理番号：14A0934219

セルロースナノファイバーでつくるフレキシブル不揮発性メモリ

著者 (7件)： 古賀大尚 (大阪大 産科研) ,  長島一樹 (大阪大 産科研) ,  CELANO Umberto (Imec) ,  金井真樹 (大阪大 産科研) ,  北岡卓也 (九大 大学院) ,  能木雅也 (大阪大 産科研) ,  柳田剛 (大阪大 産科研)
資料名： セルロース学会年次大会講演要旨集  (Preprints of Cellulose R & D Annual Meeting of the Cellulose Society of Japan)
巻： 21st  ページ： 19-20  発行年： 2014年07月01日 
JST資料番号： L4026A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 柔構造 ,  *不揮発性メモリ ,  *セルロース繊維 ,  ナノファイバ ,  ナノ粒子 ,  層 ,  酸化 ,  ナトリウム化合物 ,  過ヨウ素酸塩 ,  ポリビニルピロリドン ,  硝酸銀 ,  RAM【メモリ】 ,  比率 ,  TEMPO酸化 ,  過ヨウ素酸ナトリウム ,  銀ナノ粒子 ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  フレキシブル構造 ,  絶縁層 ,  抵抗変化型メモリ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  用途開発  (YM01080Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： セルロースナノファイバー ,  不揮発性メモリ