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J-GLOBAL ID：201402212556337330   整理番号：13A1951793

Siをドープした酸化ハフニウム複合体薄膜のウェイクアップ効果

Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films

著者 (9件)： ZHOU Dayu (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  XU Jin (Dep. of Electronic Engineering, Dalian Neusoft Univ. of Information, Dalian 116023, CHN) ,  LI Qing (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  GUAN Yan (School of Materials Sci. and Engineering, Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  CAO Fei (Key Lab. of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  DONG Xianlin (Key Lab. of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  MUELLER Johannes (Fraunhofer IPMS-CNT, Koengisbruecker Strasse 180, 01109 Dresden, DEU) ,  SCHENK Tony (Namlab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Strasse 64, 01187 Dresden, DEU) ,  SCHROEDER Uwe (Namlab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Strasse 64, 01187 Dresden, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 19  ページ： 192904-192904-4  発行年： 2013年11月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  *素子構造 ,  矩形波 ,  繰返し試験 ,  *分極反転 ,  安定性 ,  誘電分極 ,  ピンチ効果 ,  ヒステリシス ,  残留分極 ,  抗電場 ,  逆位相境界 ,  ピン止め ,  界面 ,  空乏層
準シソーラス用語： *MFM構造 ,  矩形パルス ,  分域壁 ,  脱ピン止め

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ドープ ,  酸化ハフニウム ,  複合体 ,  薄膜