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J-GLOBAL ID：201402214241804226   整理番号：13A1951589

金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのチャネルにおける意図的でない量子ドットに対するCoulomb/閉込めエネルギーの擬対称バイアスと訂正評価

Pseudosymmetric bias and correct estimation of Coulomb/confinement energy for unintentional quantum dot in channel of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

著者 (3件)： ONO K. (Low Temperature Physics Lab., RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 351-0198, JPN) ,  TANAMOTO T. (Corporate R&D Center, Toshiba Corp., 1 Komukai, Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  OHGURO T. (Corporate R&D Center, Toshiba Corp., 1 Komukai, Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 212-8582, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 18  ページ： 183107-183107-4  発行年： 2013年10月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： コンダクタンス ,  *MOSFET ,  *量子ドット ,  チャネル ,  捕獲中心 ,  閉込め ,  バイアス
準シソーラス用語： *Coulombダイヤモンド ,  帯電エネルギー ,  Coulombエネルギー

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (12件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  チャネル ,  意図 ,  量子ドット ,  Coulomb ,  閉込め ,  エネルギー ,  対称 ,  バイアス ,  訂正 ,  評価