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J-GLOBAL ID：201402214254126235   整理番号：14A0400609

Zn(Sn,Ge)N₂半導体合金におけるバンドギャップ同調

Bandgap Tunability in Zn(Sn,Ge)N₂ Semiconductor Alloys

著者 (14件)： NARANG Prineha (California Inst. Technol., CA, USA) ,  NARANG Prineha (Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA) ,  CHEN Shiyou (Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA) ,  CHEN Shiyou (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  CORONEL Naomi C. (California Inst. Technol., CA, USA) ,  GUL Sheraz (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  YANO Junko (Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA) ,  YANO Junko (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WANG Lin-Wang (Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA) ,  WANG Lin-Wang (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LEWIS Nathan S. (California Inst. Technol., CA, USA) ,  LEWIS Nathan S. (Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA) ,  ATWATER Harry A. (California Inst. Technol., CA, USA) ,  ATWATER Harry A. (Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 26  号： 8  ページ： 1235-1241  発行年： 2014年02月26日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xGa_1-xNにおけると同様に組成変化に伴うバンドギャップの変化をZnSn_1-xGe_xN₂合金について,XRD,XANESおよびEXAFS測定をおこない,ウルツ鉱-黄銅鉱型構造を想定してSnおよびGeが無秩序に分布した特定擬無秩序構造(SQS)法による計算で調べた。混合分率xに対する回折角度(格子定数)はほぼ線形に変化し,生成熱はx=0.5を極大とする結果を示した。バンドギャップエネルギーは,ZnSnN₂およびZnGeN₂に対応する2.0~3.1eVの間でほぼ線形に変化した値が得られ,計算からの予測に対応する結果であった。本報告の合金組成は天然存在比の多い元素で構成されており,InGaNの安価な代替組成として人工光合成系に利用できると推定される。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  X線回折分析 ,  XANES ,  EXAFS ,  ウルツ鉱型結晶 ,  黄銅鉱型結晶 ,  構造 ,  格子定数 ,  生成熱 ,  *エネルギー ,  光合成 ,  光触媒反応 ,  *同調 ,  窒素含有合金 ,  *亜鉛合金 ,  スズ含有合金 ,  ゲルマニウム含有合金
準シソーラス用語： スペクトル同調 ,  *バンドギャップエネルギー ,  人工光合成 ,  *組成変化 ,  *窒化物半導体 ,  非晶質構造

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Zn ,  Sn ,  Ge ,  N2 ,  合金 ,  バンドギャップ ,  同調