文献

J-GLOBAL ID：201402215451004547   整理番号：14A0661482

擬磁場効果を組み込んだ歪グラフェン電界効果トランジスタのシミュレーションベース設計

Simulation-based design of a strained graphene field effect transistor incorporating the pseudo magnetic field effect

著者 (3件)： SOUMA Satofumi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN) ,  UEYAMA Masayuki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN) ,  OGAWA Matsuto (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 104  号： 21  ページ： 213505-213505-4  発行年： 2014年05月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *炭素材 ,  *歪 ,  *バンド構造 ,  ドーピング ,  強束縛近似 ,  Green関数 ,  *スイッチング ,  *シミュレーション ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  Dirac点 ,  サブ閾値傾斜

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁場効果 ,  歪 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  シミュレーション ,  設計