文献
J-GLOBAL ID：201402216867667347
整理番号：14A1098432
電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成と形状制御の向上
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=14A1098432©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=14A1098432&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055B") }}
著者 (4件)：
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資料名：
巻：
75th
ページ：
ROMBUNNO.18A-A27-1
発行年：
2014年09月01日
JST資料番号：
Y0055B
ISSN：
2758-4704
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件)：
分類
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化成処理
, 半導体薄膜
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