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J-GLOBAL ID：201402219515233486   整理番号：14A0827552

SiCおよびGaNデバイス 広いバンドギャップはすべて同じではない

SiC and GaN devices-wide bandgap is not all the same

著者 (2件)： KAMINSKI Nando (Univ. Bremen, Bremen, DEU) ,  HILT Oliver (Leibniz-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
資料名： IET Circuits, Devices & Systems  (IET Circuits, Devices & Systems)
巻： 8  号： 3  ページ： 227-236  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： A0160C  ISSN： 1751-858X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  GaN ,  バンドギャップ