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J-GLOBAL ID：201402219719080620   整理番号：14A0582971

Al過剰AlGaN/AlN量子井戸の光利得特性

Optical gain characteristics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells

著者 (4件)： OTO Takao (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  BANAL Ryan G. (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  FUNATO Mitsuru (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 104  号： 18  ページ： 181102-181102-4  発行年： 2014年05月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  利得 ,  窒化アルミニウム ,  ガリウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  *光増幅
準シソーラス用語： 光利得

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  AlGaN ,  AlN ,  量子井戸 ,  光利得