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J-GLOBAL ID：201402220197549973   整理番号：14A1122205

走査透過型電子顕微鏡での後方散乱電子像の単純な取得法

A simple way to obtain backscattered electron images in a scanning transmission electron microscope

著者 (4件)： TSURUTA Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Shigeyasu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANJI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORITA Chiaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Microscopy  (Microscopy)
巻： 63  号： 4  ページ： 333-336  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： W1384A  ISSN： 2050-5698  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査透過型電子顕微鏡(TEM)において,後方散乱電子像を検出するために,単純な検出器を作製した。4mm×4mmのp-Si基板にAlを堆積し,背面電極とした。次に,反対側をイオンミリングで凹面に削り,中央に開口を設けた。これにTiを堆積して,対向電極とした。対向電極にTEMグリッドを銀ペーストで接着した。TEMグリッドに粒子サンプルを置いて,開口を通過した電子ビームをサンプルに照射した。サンプルで後方散乱された電子をp-Si検出器で検出した。Auやラテックス粒子を利用して,p-Si検出器の性能を調べた。75と200kVでの電子像を示した。TEMのサンプルホルダーに検出器を組み込むことで,後方散乱電子像が観測できることが分かった。

シソーラス用語： *透過型走査電子顕微鏡 ,  イオンエッチング ,  *電子ビーム ,  ラテックス ,  ペースト ,  *後方散乱 ,  格子 ,  検出器 ,  *Si半導体検出器 ,  アルミニウム ,  チタン ,  開口 ,  電極

分類 (1件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B)

引用文献 (4件)：

• Reimer L (1984) Scanning Electron Microscope. Springer Series in Optical Sciences (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg New York Tokyo).
• Bogner A, Thollet G, Basset D, Jouneau P, Cauthier C (2005) Wet STEM: a new development in environmental SEM for imaging nano-objects included in a liquid phase. Ultramicroscopy 104: 290-301.
• Suga M, Nishiyma H, Ebihara T (2009) Atmospheric electron microscope: limits of observable depth. Microsc. Microanal. 15: 294-295.
• Nishiyama H, Suga M, Ogura T, Maruyama Y, Koizumi M, Mio K, Kitamura S, Sato C (2010) Atmospheric scanning electron microscope observes cells and tissues in open medium through silicon nitride film. J. Struct. Biol. 169: 438-449.

タイトルに関連する用語 (3件)： 走査透過型電子顕微鏡 ,  後方散乱 ,  電子