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J-GLOBAL ID：201402221571288670   整理番号：14A1128955

フッ素化窒化ケイ素の直接蒸着により形成したソース/ドレイン領域を持つ自己整合ボトムゲートIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ

Self-Aligned Bottom-Gate In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor With Source/Drain Regions Formed by Direct Deposition of Fluorinated Silicon Nitride

著者 (3件)： JIANG Jingxin (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  WANG Dapeng (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 35  号： 9  ページ： 933-935  発行年： 2014年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,酸化物半導体に基づくTFTsがフラットパネルディスプレイ用として注目されている。このようなTFTsでは自己整合構造が不可欠である。本稿では,フッ素化窒化ケイ素の直接蒸着により形成したソース/ドレイン領域を持つ自己整合ボトムゲートIn-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜トランジスタ(BGSA)IGZO TFTについて報告した。このTFTsは,350°CのN₂アニーリングにより非常に安定化し,電界効果移動度10.6cm²・V^-1・s^-1,オンオフ比10⁸を示した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *自己整合 ,  ゲート【半導体】 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  フラットパネルディスプレイ ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  スイッチング ,  焼なまし ,  酸化物半導体 ,  電界効果移動度 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アニーリング ,  オンオフ比 ,  ボトムゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： フッ素化 ,  窒化ケイ素 ,  蒸着 ,  ソース ,  ドレイン ,  自己整合 ,  ボトムゲート ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ