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J-GLOBAL ID：201402222615729838   整理番号：14A0363417

SiN/SiCナノ積層膜中の酸化で誘導された亀裂回復動作

Crack-healing behavior induced by oxidation in SiN/SiC nanolaminated films

著者 (4件)： NAKATANI Masanori ,  NISHIMURA Junki ,  HANAKI Satoshi ,  UCHIDA Hitoshi
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 556  ページ： 68-73  発行年： 2014年04月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温環境でのSiN/SiCナノ積層薄膜中の亀裂回復動作が研究された。1μm厚の積層膜がイオンビーム支援蒸着でSi基板上に製作された。層の数は4に固定され,SiNとSiCの二重比は1又は3に設定された。亀裂サンプルは600-1200°Cの大気中で加熱された。SiN/SiCナノ積層膜の場合,亀裂は1000°Cで加熱による酸化で完全に充填されたが,SiN膜の亀裂は回復されなかった。更に,二重比1のSiN/SiCナノ積層膜の充填亀裂長は二重比3の膜の同一タイプの亀裂長より長かった。これらの結果は,SiN膜に於けるSiC層の挿入がSiN薄膜の亀裂回復能力を与えるかも知れない事を提示する。更に,亀裂回復への加熱の影響が組織的に研究された。亀裂回復は加熱の温度と時間の増加と共に改善された。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *多層膜 ,  積層構造 ,  *亀裂 ,  *回復 ,  *イオンビーム蒸着 ,  加熱 ,  *熱処理 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 積層膜 ,  ナノ積層構造 ,  亀裂回復

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiN ,  SiC ,  積層膜 ,  酸化 ,  誘導 ,  亀裂 ,  回復