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J-GLOBAL ID：201402222919676269   整理番号：14A1398605

負電子親和性窒化ガリウムフォトカソードの光電子放出寿命

Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode

著者 (6件)： NISHITANI Tomohiro (Synchrotron Radiation Res. Center, Nagoya Univ., Furo-cho, Nagoya, Aichi 464-8603, JPN) ,  TABUCHI Masao (Synchrotron Radiation Res. Center, Nagoya Univ., Furo-cho, Nagoya, Aichi 464-8603, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Nagoya ...) ,  MAEKAWA Takuya (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Nagoya ...) ,  KUWAHARA Makoto (EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Furo-cho, Nagoya, Aichi 464-8603, JPN) ,  MEGURO Takashi (Dep. of Physics, Fac. of Sci. Div. II, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32  号： 6  ページ： 06F901-06F901-5  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負電子親和性(NEA)表面を有するp型GaN半導体を用いたフォトカソード電子源をその拡張NEA状態を維持する能力に関して研究した。NEAフォトカソードのキー技術は表面でのセシウムとガリウム原子による電気双極子の形成であり,それは伝導帯極小位置にある光励起電子が真空へと脱出することを可能にする。このことは,電子エネルギー広がりを可能な限り小さく保つためには,励起光子エネルギーはバンドギャップエネルギーに同調されねばならないことを意味する。しかしながら,NEA表面は残留ガスの吸着と光電子による電離残留ガスの後方衝撃によって損傷を受ける。p型GaN半導体についてNEA表面活性化の過程での量子収量の時間的発展とバンドギャップエネルギーに対応する励起エネルギーの量子収量の寿命を従来のNEAフォトカソードとしてのp型GaAsとの比較において測定した。NEA表面活性化プロセスにおいて,GaNの量子収量はセシウムの堆積だけによってGaAsのそれよりも3桁以上大きかった。GaAsのNEA表面活性化におけるセシウム曝露量は,GaAsの量子収量がGaNと同じ値であっても,GaNのそれの1.5倍であった。GaNを用いたNEAフォトカソードの寿命はGaAsを用いたものよりも21倍も長かった。GaAsの量子収量の減少は指数的減衰関数の形で4.4時間の減衰時間と良く相関していたが,一方,GaNの量子収量の減少は指数的減衰関数の形で47時間と174時間の2つの減衰時間と良く相関していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電子放出 ,  *電子親和力 ,  *窒化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  *光電陰極 ,  寿命 ,  セシウム ,  *量子収量 ,  *電子源 ,  化合物半導体 ,  P型半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 負電子親和力

分類 (3件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  電子源,イオン源  (BD02020U) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 負電子親和性 ,  窒化ガリウム ,  フォトカソード ,  光電子放出 ,  寿命