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J-GLOBAL ID：201402223230199052   整理番号：14A0622721

電子ビーム誘起配向選択エピタクシーによるSi(100)基板上のCeO₂(100)及び(110)の高度分離ハイブリッド方位構造

Highly separated hybrid orientation structure of CeO₂(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy

著者 (2件)： INOUE Tomoyasu (Iwaki Meisei Univ., 5-5-1 Chuodai Iino, Iwaki 970-8551, JPN) ,  SHIDA Shigenari (Iwaki Meisei Univ., 5-5-1 Chuodai Iino, Iwaki 970-8551, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32  号： 3  ページ： 03D108-03D108-6  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上のCeO₂(100)及び(110)領域のハイブリッド方位構造を反応性マグネトロンスパッタリングによる電子ビーム誘起方位選択成長を用いて研究した。成長プロセス中に電子で照射された領域に成長することが見出されたCeO₂(100)層とビームによって照射されない領域で成長するCeO₂(110)層の2つの分離した成長領域が見られた。X線回折測定で得られた横方向配向マッピングはこれら2つの配向領域間の遷移領域の存在を明らかにした。遷移領域の幅は下敷きSi基板の抵抗率の対数に比例して減少することがわかった。リソグラフィ的に形成された溝を有するシリコン・オン・インシュレータ基板を用いた配向選択エピタクシー成長実験は溝の形状を最適化することで2つの領域の完全分離が可能になることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *選択成長 ,  *化学蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  *酸化セリウム ,  *マグネトロンスパッタリング ,  X線回折 ,  *電気抵抗率 ,  *優先配向 ,  結晶方位 ,  *分域構造 ,  SOI構造 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： 選択エピタキシー ,  電子ビーム誘起堆積法 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  Si基板

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム ,  誘起 ,  配向 ,  エピタクシー ,  Si ,  方位