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J-GLOBAL ID：201402223756226526   整理番号：14A0495309

GaNパワートランジスタのスイッチング損失を測定するための非侵襲的方法

A Non-Intrusive Method for Measuring Switching Losses of GaN Power Transistors

著者 (4件)： BRANDELERO J. (CIRTEM, Toulouse, FRA) ,  COUGO B. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  MEYNARD T. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  VIDEAU N. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA)
資料名： Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society  (Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society)
巻： 39th Vol.1  ページ： 246-251  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0475B  ISSN： 1553-572X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力用コンバータの設計において重要な電力スイッチの発生損失の測定には,素子内に電圧電流プローブを挿入する必要があるが,回路挙動に変化が生じるなどの問題が起こり,GaNトランジスタなどの最新のスイッチング素子に対しては適切な手法とは言えない。本論では,GaN素子4個を用いてブリッジ回路を構成し,実際の運転状態で素子単体のターンオンおよびターンオフ損失を非侵襲的に正確に測定できる対向接続試験法を考案した。本手法の構成,試験法,ならびに損失解析法の詳細を述べ,EPC1001 GaNトランジスタを用いた電力用コンバータにおけるターンオン損失+ターンオフ損失,ターンオフ損失,ならびにスイッチング性能を100~700kHzのスイッチング周波数に対して測定した。本手法は,素子のスイッチング効率の最適化などに活用できる。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *電力トランジスタ ,  *スイッチング損失 ,  電気測定 ,  *電力変換器 ,  スイッチ ,  *電気損失 ,  ターンオン ,  ターンオフ ,  周波数依存性 ,  電気設計
準シソーラス用語： 非侵襲計測 ,  スイッチング周波数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  パワートランジスタ ,  スイッチング損失 ,  非侵襲的