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J-GLOBAL ID：201402226687902440   整理番号：14A1078200

光補助電気化学エッチングで形成したGaN多孔性ナノ構造の構造と光電気化学的性質との間の相間

Correlation between Structural and Photoelectrochemical Properties of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-Assisted Electrochemical Etching

著者 (4件)： KUMAZAKI Yusuke (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  WATANABE Akio (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YATABE Zenji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SATO Taketomo (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 161  号： 10  ページ： H705-H709  発行年： 2014年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ400μmの自立GaN基板の上にホモエピタキシャルに成長させたGaN層(厚さ3μm)を電解質溶液(H₂SO₄+H₃PO₄)に浸漬し,基板の裏側に接触したAu電極と基板の表側からの光照射により多孔質膜を調製した。SEM観察と光ルミネセンス(PL)測定で多孔質膜を特性化した。光照射条件は細孔の深さ,壁厚さ,表面モルホロジーに著しく影響し,ナノポーラス構造が光学的性質に影響する。細孔間の薄いGaN壁に量子閉じ込めが起きてPLピークは高エネルギー側に移動する。多孔性ナノ構造はGaN表面の光反射を減少させる。表面エッチングで小さい細孔を除くと大きい細孔が残り,最小の反射率が得られる。NaCl電解質溶液中で測定したGaNの光電気化学応答はナノ細孔構造のために著しく高くなる。H₃PO₄処理で超薄層を除去すると最大の光電流が得られる。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *多孔質体 ,  *エッチング ,  ナノ構造 ,  反射率 ,  光電流 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  細孔構造 ,  細孔径 ,  細孔径分布 ,  *光学的性質 ,  硫酸 ,  リン酸 ,  塩化ナトリウム ,  電解質溶液 ,  光ルミネセンス ,  スペクトル ,  量子閉込め
準シソーラス用語： ナノ壁 ,  フォトルミネセンス ,  フォトルミネセンススペクトル ,  *光電気化学エッチング ,  光反射率 ,  *多孔性材料 ,  表面モルフォロジー

分類 (4件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  塩  (CD01050V) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学エッチング ,  GaN ,  多孔性 ,  ナノ構造 ,  電気化学的性質 ,  相