文献
J-GLOBAL ID：201402226757917734
整理番号：14A0226326
高電圧SiおよびSiC電力MOSFETにおける自己ターンオン現象の比較研究
Comparative study of self turn-on phenomenon in high-voltage Si and SiC power MOSFETs
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著者 (1件)：
資料名：
巻：
10
号：
21
ページ：
20130744-20130744 (J-STAGE)
発行年：
2013年
JST資料番号：
U0039A
ISSN：
1349-2543
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高電圧の高速スイッチングにより生じる高dv/dtは変動ゲート電圧により隣接電力MOSFETをミスファイアさせる。これは自己ターンオン現象として知られたいる。ゲート駆動回路がオフ状態を維持しているとしても,ドレイン電圧の急激に印加してMillerキャパシタンスを充電することで脆弱な電力MOSFETのゲート電圧を増加させる。本研究は,ゲート電圧挙動のモデル方程式を解析的に導出し,静的C-V特性および動特性に基づいて高電圧Si超接合MOSFETとSiC MOSFETとの間の自己ターンオン現象の違いを実験的に比較する。その結果,SiC MOSFETのゲート電圧は高電圧高速スイッチング動作の影響を受けにくいことを示す。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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