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J-GLOBAL ID:201402227378015312   整理番号:14A0066721

人工光合成系の還元末端となるp型半導体NiO上でポルフィリン-レニウムダイアド金属錯体の増感による二酸化炭素の可視光誘起還元

Visible light-induced reduction of carbon dioxide sensitized by a porphyrin-rhenium dyad metal complex on p-type semiconducting NiO as the reduction terminal end of an artificial photosynthetic system
著者 (11件):
資料名:
巻: 310  ページ: 57-66  発行年: 2014年02月 
JST資料番号: H0480A  ISSN: 0021-9517  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二酸化炭素から一酸化炭素までの可視光誘起-二電子還元する新しく合成した金属錯体のダイアドは,集光増感剤として亜鉛ポルフィリンと還元触媒部分としてレニウムビピリジル錯体から構成し,初めて犠牲となる電子供与体も無いp-型半導体を達成した。NiOナノ粒子(直径20-30nm)に吸着されたダイアドの蛍光はDMF中の本来の寿命値1.6nsと比較するとかなり短い寿命(29ps)で効率良く消光した。亜鉛ポルフィリンのラジカルアニオンを実際に生成するのは,5,10,15,20-テトラ(4-カルボキシ)フェニルポルフィリナート亜鉛(ZnTCPP)(5)をNiO上の励起であり,NiOから寿命が~180nの励起ZnTCPPまでの速い電子注入が起きた。これはNiOの空孔と電荷再結合に相当する。電気化学電池はCO2飽和したDMF溶液中,FTOカソードと対電極の白金上にダイアド吸着のNiO粒子層で作製した。これは可視光照射(λ=420nm)しながら定常カソード光電流を示し,次にニ電子還元生成物(CO)が生成した。更には光-および電子-収束部分としてZnTCPP(5)と,NiO上の触媒部分としてダイアドのZnDMCPP-Re(bpy)(NHAc)(1)とを共吸着により調製した系ではファクターが5.5まで光還元を向上させた。これは人工光合成系の還元末端部としてCO2の光還元系を設計する有望な例になる。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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光化学反応  ,  遷移金属錯体一般  ,  電池一般 
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