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J-GLOBAL ID：201402229605298205   整理番号：14A0775303

デバイス用ダイヤモンドウェハのUVアシスト研磨に関する研究

Study on UV-Assisted Polishing of Diamond Wafer for Power Electric Devices

著者 (6件)： 田川智彦 (熊本大学大学院) ,  峠睦 (熊本大学大学院) ,  坂本武司 (熊本大学大学院) ,  鹿田真一 (産業技術総合研究所) ,  山田英明 (産業技術総合研究所) ,  加藤有香子 (産業技術総合研究所)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 80  号： 6  ページ： 587-591 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体材料はひずみのない研磨面であることが必須条件であり,高品位の平坦化研磨加工技術の開発が必要である。半導体材料としての単結晶ダイヤモンドは,非常に硬度が高く,熱的,化学的にも安定であり加工が難しい。本稿では,デバイス用途のダイヤモンドウェハに対するUVアシスト研磨の有効性を検討した。その結果,以下の知見を得た。1)本法により,0.2nmRMS前後の非常に平滑な面を実現出来た。2)試料同士を接合した種基板から作製したモザイクウェハに対しても,本法は有効である。3)本法は,ダイヤモンドウェハに新たな転位欠陥を発生させることなく研磨出来る。

シソーラス用語： *研磨 ,  *紫外線 ,  *ダイヤモンド ,  ウエハ【IC】 ,  *機械工作 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (1件)： 特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (15件)：

• 1) 鹿田真一:パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体の開発状況,応用物理,82,4 (2013) 299.
• 2) 四戸 孝:東芝レビュー,59,49 (2004).
• 3) 楊政峰,吉川昌範:熱化学反応によるダイヤモンド膜の研磨—研磨メカニズムについて,精密工学会誌,57,3 (1991) 504.
• 4) 手塚信一,吉川昌範:YAGレーザー照射による気相合成ダイヤモンド薄板の加工,精密工学会誌,56,12 (1990) 2255.
• 5) A. M. Ozkan, A. P. Makshe and W. D. Brown : Sequential Multiplelaser-assisted Polishing of Free-standing CVD Diamond Substrates, Diamond Relat. Mater., 6, 11 (1997) 1789.

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンドウェハ ,  アシスト ,  研磨 ,  研究