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J-GLOBAL ID：201402230308751489   整理番号：14A0056530

短期記憶から長期記憶への転換を模倣したIZOホモ接合シナプストランジスタ

Short-Term Memory to Long-Term Memory Transition Mimicked in IZO Homojunction Synaptic Transistors

著者 (10件)： GUO Liqiang (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  GUO Liqiang (Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN) ,  WAN Qing (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WAN Qing (Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN) ,  WAN Changjin (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WAN Changjin (Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN) ,  ZHU Liqiang (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHU Liqiang (Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN) ,  SHI Yi (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  SHI Yi (Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 12  ページ： 1581-1583  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短期記憶(STM)は情報をほんの短期間記憶する脳の容量である。長期記憶(LTM)は情報を長期間貯蔵する脳の容量である。本稿では,ナノグラニュラーSiO₂プロトン伝導性電解質によるゲートを持つインジウム-亜鉛酸化物(IZO)を使ったホモ接合シナプストランジスタについて報告した。パルス振幅またはパルス数を増加することにより,脳の記憶転換を模倣したSTMからLTMへの転換を実現した。可動性プロトンによるIZOチャネルの界面静電変調と電気化学ドーピングがこのような記憶挙動や記憶変換に重要な役割をした。

シソーラス用語： 記憶 ,  *半導体接合 ,  *記憶素子 ,  *シナプス ,  神経回路網 ,  酸化亜鉛 ,  陽子 ,  電解質
準シソーラス用語： *シナプス素子 ,  プロトン ,  *ホモ接合 ,  短期記憶 ,  長期記憶

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  脳・神経系モデル  (EL02050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 短期記憶 ,  長期記憶 ,  転換 ,  模倣 ,  ホモ接合 ,  シナプス ,  トランジスタ