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J-GLOBAL ID:201402230317417346   整理番号:14A0426434

スパッタリング法で堆積したAlドープCeO2膜の酸素導入効果

EFFECT OF O2 INTRODUCTION PROPERTY OF Al DOPED CeO2 FILMS DEPOSITED BY SPUTTERING METHOD
著者 (8件):
資料名:
号: 32  ページ: 46-51  発行年: 2014年03月 
JST資料番号: L0263A  ISSN: 0914-2908  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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AlドープCeO2膜での酸素欠乏を補償するために,スパッタ堆積中に酸素を導入した。スパッタリング気体中の酸素の割合が増加しても,堆積速度と膜の原子組成は影響を受けなかったが,分子組成は影響を受けた。TEDとXRD測定による観測から,酸素導入によって膜が結晶化することが分かった。XPSとXRD測定により,Alが存在することでCeO2がCe2O3を通してCeAlO3になることを明らかにした。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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