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J-GLOBAL ID：201402231193807813   整理番号：14A0194537

レーザ結晶化多結晶シリコン薄膜の固相エピタクシーのための洗浄ツールとしてのin situエキシマレーザ照射

In situ excimer laser irradiation as cleaning tool for solid phase epitaxy of laser crystallized polycrystalline silicon thin films

著者 (8件)： HOEGER Ingmar (Inst. Photonische Technologien, Jena, DEU) ,  SCHMIDT Thomas (Inst. Photonische Technologien, Jena, DEU) ,  LANDGRAF Anja (Inst. Photonische Technologien, Jena, DEU) ,  SCHADE Martin (Martin-Luther-Univ. Halle-Wittenberg, Halle, DEU) ,  GAWLIK Annett (Inst. Photonische Technologien, Jena, DEU) ,  ANDRAE Gudrun (Inst. Photonische Technologien, Jena, DEU) ,  LEIPNER Hartmut S. (Martin-Luther-Univ. Halle-Wittenberg, Halle, DEU) ,  FALK Fritz (Inst. Photonische Technologien, Jena, DEU)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 210  号： 12  ページ： 2729-2735  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その後の固相エピタキシャル結晶化のための,レーザ結晶化多結晶シリコン薄膜の表面を洗浄する新しいアプローチを述べた。この方法は,非晶質シリコンの堆積中におけるin situエキシマレーザ照射に基づいていた。エピタキシャル液相結晶化の後,さらに,非晶質シリコンを,炉における固相エピタクシーにより結晶化した。堆積パラメータの調整は重要であり,堆積温度は,100°Cを超えるべきではなかった。洗浄効果を,直接的及び間接的に実証した。SIMSは,エキシマレーザ洗浄が,界面における炭素汚染の低減に効果的であることを証明した。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *多結晶 ,  *結晶化 ,  *浄化 ,  *洗浄 ,  *レーザ照射 ,  エキシマレーザ ,  *アモルファスシリコン ,  *エピタクシー ,  二次イオン質量分析 ,  界面
準シソーラス用語： *シリコン薄膜 ,  *レーザ結晶化 ,  *表面洗浄 ,  *非晶質シリコン ,  *固相エピタキシー ,  堆積温度 ,  SIMS分析 ,  炭素汚染

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザ結晶 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  固相エピタクシー ,  洗浄 ,  ツール ,  エキシマレーザ