III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術

竹中充; 一宮佑希; CHEN Yongpeng; KIM Sang-Hyeon; 高木信一

文献

J-GLOBAL ID：201402231445101277 整理番号：14A0298703

III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術

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著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： J97-C 号： 3 ページ： 95-103 発行年： 2014年03月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

我々は,ウェハボンディングにより作製したIII-V-on-insulator(III-V-OI)ウェハを用いて,III-V族半導体版Siフォトニクスに相当するIII-V CMOSフォトニクスプラットホーム技術の研究を進めている。電子物性,光物性ともにSiよりも優れたIII-V族半導体を用いることで,究極的に高性能・省電力な光電子融合集積回路を実現することが期待される。我々はこれまでに,III-V-OIウェハを用いた小型ベンド導波路やアレイ導波路グレーティング,グレーティングカプラなどのパッシブ素子に加えて,光スイッチや受光器などのアクティブ素子を実証してきた。またIII-V-OIウェハ上にInGaAs MOSトランジスタを作製することにも成功している。本論文では,これまでの我々の研究成果について紹介する。(著者抄録)

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光集積回路,集積光学 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

引用文献 (19件)：

Sakai, G. Hara, and T. Baba, ”Propagation characteristics of ultrahigh-Δ optical waveguide on silicon-on-insulator substrate,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.40, pp.L383-385, 2001.
P. Dumon, W. Bogaerts, V. Wiaux, J. Wouters, S. Beckx, J. Van Campenhout, D. Taillaert, B. Luyssaert, P. Bienstman, D. Van Thourhout, and R. Baets, ”Low-loss SOI photonic wires and ring resonators fabricated with deep UV lithography,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol.16, no.5, pp.1328-1330, 2004.
Wim Bogaerts, S. Kumar Selvaraja, P. Dumon, J. Brouckaert, K. De Vos, D. Van Thourhout, and R. Baets, ”Silicon-on-insulator spectral filters fabricated with CMOS technology,” IEEE Sel. Topics Quantum Electron., vol.16, no.1, pp.33-44, 2010.
G.T. Reed, G. Mashanovich, F.Y. Gardes, and D.J. Thomson, ”Silicon optical modulators,” Nature Photon., vol.4, pp.518-526, 2010.
J. Michel, J. Liu, and L.C. Kimerling, ”High-performance Ge-on-Si photodetectors,” Nature Photon., vol.4, pp.527-534, 2010.

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