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J-GLOBAL ID：201402231777407787   整理番号：14A0706376

シリコン上の3段階のAl含有ステップ勾配AlGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HEMTにおける漏れ電流の減少

Reduction in leakage current in AlGaN/GaN HEMT with three Al-containing step-graded AlGaN buffer layers on silicon

著者 (5件)： YU Xinxin (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing, CHN) ,  NI Jinyu (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing, CHN) ,  LI Zhonghui (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing, CHN) ,  ZHOU Jianjun (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing, CHN) ,  KONG Cen (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 5  ページ： 051001.1-051001.4  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着により,2および3段階のステップ勾配AlGaNバッファ層(BL)を用いたAlGaN/GaN高移動度トランジスタ(HEMT)構造をシリコン(111)基板上に作成した。2つの0.8μm厚AlGaN BLのみを用いたGaNにおいては,かなりの大きさの引っ張り応力が見られたが,3つの2.3μm厚AlGaN BLを用いて作成したGaNでは,大きな面内圧縮が見られた。3つのAlGaN BLを用いたHEMTにおける逆ゲート漏れ電流は約0.1μA/mmであり,2つのAlGaN BLを用いたHEMTに対するものよりも1桁小さくなった。3つのAlGaN BLを用いたHEMTにおいて,265Vの3端子オフ状態破壊電圧と510Vの垂直ゲート基板間破壊電圧が得られた。AlGaN/GaNヘテロ構造の構造特性に基づいて,詳細な解析を行った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *漏れ電流 ,  MOCVD
準シソーラス用語： シリコン ,  *AlGaN/GaN ,  金属有機化学蒸着

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• R. Quay, Gallium Nitride Electronics (Springer, Heidelberg, 2008) p. 28.
• L. Liu and J. H. Edgar, Mater. Sci. Eng. R 37, 61 (2002).
• M. Van Hove, S. Boulay, S. R. Bahl, S. Stoffels, X. Kang, D. Wellekens, K. Geens, A. Delabie, and S. Decoutere, IEEE Electron Device Lett. 33, 667 (2012).
• A. Able, W. Wegscheider, K. Engl, and J. Zweck, J. Cryst. Growth 276, 415 (2005).
• J. O. Kim, S. K. Hong, and K. Y. Lim, Phys. Status Solidi C 7, 2052 (2010).

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  段階 ,  Al ,  勾配 ,  AlGaN ,  バッファ層 ,  GaN ,  HEMT ,  漏れ電流