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J-GLOBAL ID：201402232325248149   整理番号：14A0425928

一硫化スズナノシートの合成及びキャラクタリゼーション

Synthesis and characterization of tin monosulfide nanosheets

著者 (5件)： HORI Shigeo (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  SUZUKI Toshimasa (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  SUZUKI Tsukasa (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  SUZUKI Takahiro (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  NONOMURA Shuichi (Gifu Univ., Gifu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 2  ページ： 021801.1-021801.5  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一硫化スズ(SnS)ナノシートを,ワンポットプロセスを通して合成し,キャラクタライズした。結晶構造を,斜方晶ヘルツェンベルガイトと確定した。SnSナノシートが,幅数マイクロメータ及び厚さ数10ナノメータであると確定した。SnSナノシート形状と結晶配向との間の関係を,透過型電子顕微鏡(TEM)観察により確定した。SnSナノシートのボトム面は,観測により,a×c面に対応していた。サイド面において,(101)面が主に現れていた。光電気化学測定から,価電子バンド及び伝導バンド位置が,飽和カロメル電極に対して,それぞれ,0及び-1.3Vであると推定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スズ化合物 ,  硫化物 ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  *ワンポット合成 ,  結晶構造 ,  斜方晶系 ,  結晶方位 ,  電子顕微鏡観察 ,  光電気化学 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  *ナノシート ,  硫化スズ ,  透過型電子顕微鏡法
準シソーラス用語： *一硫化スズ ,  斜方晶 ,  結晶配向 ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (39件)：

• K. Ito and T. Nakazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 2094 (1988).
• J.-S. Seol, S.-Y. Lee, J.-C. Lee, H.-D. Nam, and K.-H. Kim, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 75, 155 (2003).
• T. Tanaka, T. Nagatomo, D. Kawasaki, M. Nishio, Q. Guo, A. Wakahara, A. Yoshida, and H. Ogawa, J. Phys. Chem. Solids 66, 1978 (2005).
• H. Katagiri, Thin Solid Films 480–481, 426 (2005).
• K. Jimbo, R. Kimura, T. Kamimura, S. Yamada, W. S. Maw, H. Araki, K. Oishi, and H. Katagiri, Thin Solid Films 515, 5997 (2007).

タイトルに関連する用語 (3件)： 硫化スズ ,  ナノシート ,  キャラクタリゼーション