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J-GLOBAL ID：201402232337536751   整理番号：13A1965242

X線回折とすれすれ入射X線反射および二次イオン質量分析による多層SiGe半導体構造の研究

Study of multilayered SiGe semiconductor structures by X-ray diffractometry, grazing-incidence X-ray reflectometry, and secondary-ion mass spectrometry

著者 (5件)： YUNIN P. A. (Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  DROZDOV Yu. N. (Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  DROZDOV M. N. (Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  KOROLEV S. A. (Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  LOBANOV D. N. (Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 12  ページ： 1556-1561  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折とすれすれ入射X線反射および二次イオン質量分析(SIMS)による多層SiGe/Si半導体構造研究の結果を報告した。特に注意を払ったのはSIMS法を用いた成分分布プロフィルの処理と,この方法での最も大きな実験誤差の考察である。測定した成分分布プロフィルを加工し,次いで母材効果,エッチング速度とイオンスパッタリングの残留の影響も配慮した方式を提案した。この種加工の結果をX線回折とすれすれ入射反射データの解析を組み合わせた構造モデルと比較した。結果は良好な一致を得た。この技法を組み合わせることで多層ヘテロエピタキシャル構造の分析に適用した際の二次イオン質量分析とすれすれ入射X線反射法の改善を可能とした。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *X線回折 ,  小角X線散乱 ,  *二次イオン質量分析 ,  半導体材料 ,  多層 ,  元素 ,  分布 ,  *母材 ,  加工速度 ,  *スパッタリング ,  ヘテロエピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  *素子構造 ,  層 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： *SiGe ,  *Si基板 ,  エッチング速度 ,  *エピタキシャル層 ,  *すれすれ入射X線回折 ,  すれすれ入射小角X線散乱 ,  元素分布 ,  ヘテロ構造 ,  SIMS分析

分類 (4件)： 質量分析  (CC03013N) ,  その他の物理分析  (CC03014E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線回折 ,  すれすれ入射 ,  X線反射 ,  二次イオン質量分析 ,  多層 ,  SiGe ,  研究