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J-GLOBAL ID：201402232808750635   整理番号：14A0477075

SOIピクセルイメージセンサと科学計測応用

SOI Pixel Image Sensors and Their Scientific Applications

著者 (7件)： 川人祥二 (静岡大 電子工研) ,  亀濱博紀 (静岡大 電子工研) ,  SHRESTHA Sumeet (静岡大 電子工研) ,  安富啓太 (静岡大 電子工研) ,  香川景一郎 (静岡大 電子工研) ,  池辺将之 (北大 大学院情報科学研究科) ,  新井康夫 (高エネルギー加速器研究機構 素粒子原子核研)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 38  号： 15(IST2014 8-17)  ページ： 35-37  発行年： 2014年03月07日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SOI(Silicon on Insulator)の上層Si(薄膜SOI層)をCMOS回路,下層Siをフォトディテクタとして用いるSOIピクセル技術によるイメージセンサ開発に関する国内の研究活動を紹介する。SOIピクセルイメージセンサは,高エネルギー放射線を効率よく,また高い機能性をもって計測するため,従来は支持基板として活用されてきた下層Siを完全空乏化するように構成してフォトンの検出と電荷収集を行うとともに,その信号を上層Si層に構成したSOI-CMOS回路に接続し,ピクセル内での機能的信号検出を行うことができる。特に,この構成により,イベント駆動型フォトン検出をピクセル単位で行うことができ,高精度のエネルギー弁別を可能とする高エネルギー放射線イメージングを行うことができる。エネルギー分解能を高めるための低雑音化と広い計測範囲をカバーするダイナミックレンジの両立が重要な研究開発課題となっている。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *イメージセンサ ,  *画素 ,  プリント基板 ,  光子 ,  ケイ素 ,  *半導体集積回路 ,  物理学 ,  ダイナミックレンジ ,  画像処理システム ,  放射線 ,  回路設計 ,  CMOS構造 ,  *CMOSイメージセンサ ,  高エネルギー物理学 ,  MOS構造
準シソーラス用語： SOI ,  SOIピクセル ,  シリコン ,  *ピクセル ,  フォトン

分類 (3件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (4件)：

• ‘Development of SOI pixel process technology', Nucl. Instr. and Meth. A, Vol. 636, Issue 1, Supplement 1, 21 April 2011, Pages S31-S36 7th International ““Hiroshima”” Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors, Aug., 2009.
• ‘SOI detector developments', Y. Onuki, H. Katsurayama, Y. Ono, H. Yamamoto, et al., The 20th Anniversary International Workshop on Vertex Detectors - VERTEX 2011, June 19 - 24, 2011, Rust, Lake Neusiedl, Austria, Proceedings of Science, PoS(Vertex 2011)043.
• S. Kawahito, “History and prospect of low-noise CMOS image sensors” , PIXEL2012, Session4, Fukushima, Sep.,2012.
• ‘Semiconductor Devices:Physics and Technology 2^nd Edition', S.M.Sze, John Wiley & Sons,inc. (2005).

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  ピクセル ,  イメージセンサ ,  科学 ,  計測 ,  応用